*1:Vd 是漏電流為 1 μA 時的 AD 偏置電壓。 Vb 的電壓為 300 V 至 500 V。
*2:在-8 kV的光電陰極電壓和Vb(擊穿電壓)-10 V的AD偏置電壓下。
*3:在單光子狀態(tài)和光電陰極全照度下,指定為 FWHM(Full Widh at Half Maximum)。 這些閾值包括大約 30ps 的電子設(shè)備抖動。
*4:在 500 nm